Fabrication of rainbow hologram with NanoMaker  Fabrication of Rainbow Hologram with NanoMaker
 NanoMaker  Скачать  Примеры Использования  Поддержка  Публикации  Контакты 
English      Russian
 NanoMaker
 Скачать
 Примеры Использования
 Совмещение и Послойная Литография
 Автоматическая Стыковка Полей Совмещением по Сетке Маркеров
 2D Коррекция Эффекта Близости
 3D Коррекция Эффекта Близости
 Сверхвысокое Разрешение
 Изготовление OVD
 Диффракционная Оптика
 Коррекция Динамических Искажений
 Управление AFM
 Интеграция с Лазерным Столом
 Прямое Осаждение Тонких Пленок
 Изготовление Сверхострых Игл
 Сканирующий Гелий-Ионный Микроскоп Orion
 Поддержка
 Публикации
 Контакты
Site search by Google
Рейтинг@Mail.ru  eXTReMe Tracker
2D коррекция эффекта близости

2D коррекция эффекта близости

Результаты классического эксперимента из работы опубликованной в 1996 году.
В эксперименте использовалась структура, которая не случайно выглядит как полевой транзистор (рис.1a), где части A и C имитируют исток и сток, B - затвор, части D и E - это проводники, расположенные где-то далеко а где-то очень близко к большим площадкам.

Был выполнен ряд экспериментов, чтобы продемонстрировать необходимость процедуры коррекции эффекта близости и эффективность "простой компенсации" как приближения к коррекции эффекта близости.
Качественное совпадение экспериментальных структур с результатами моделирования доказывает, что:

  1. Модели экспонирования и проявления резиста реалирзованные в NanoMaker верны
  2. Разработанные алгоритмы работают должным образом
  3. Управление экспонированием, осуществляемое NanoMaker, обеспечивает ожидаемый результат

   
Fig. 1a. Тестовая структура имитирует полевой транзистор с 200 нм затвором (В), D имитирует одиночный проводник. Fig. 1b. В соответствии с результатом "простой компенсации" (коррекции эффекта близости при помощи NanoMaker) различные области структуры должны подвергаться экспозиции в течение различного времени для того, чтобы обеспечить воспроизведение субмикронных деталей.
   
Fig. 2a. Моделирование проявления резиста для структуры подвергшейся равномерной экспозиции (каждая точка получила дозу 150%) демонстрирует, что эффект близости не позволит создать устройство. Fig. 2b Моделирование проявления резиста для структуры подвергшейся экспозиции в соответствии с результатами "простой компенсации" продемонстрированной на Fig.1b. прогнозирует успех в создании устройства.
   
Fig. 3a. Эксперимент с равномерной экспозицией подтверждает прогноз моделирования экспонирования и проявления резиста. Fig. 3b. Коррекция эффекта близости позволяет создать методом электронно-лучевой литографии спроектированную структур с характерными размерами 200 нм.
                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                   
 
    Copyright © 2002-2017 Interface Ltd. & IMT RAS