2D коррекция эффекта близости

Результаты классического эксперимента из работы опубликованной в 1996 году.
В эксперименте использовалась структура, которая не случайно выглядит как полевой транзистор (рис.1a), где части A и C имитируют исток и сток, B - затвор, части D и E - это проводники, расположенные где-то далеко а где-то очень близко к большим площадкам.

Был выполнен ряд экспериментов, чтобы продемонстрировать необходимость процедуры коррекции эффекта близости и эффективность "простой компенсации" как приближения к коррекции эффекта близости.
Качественное совпадение экспериментальных структур с результатами моделирования доказывает, что:

1. Модели экспонирования и проявления резиста реалирзованные в NanoMaker верны
2. Разработанные алгоритмы работают должным образом
3. Управление экспонированием, осуществляемое NanoMaker, обеспечивает ожидаемый результат

Fig. 1a. Тестовая структура имитирует полевой транзистор с 200 нм затвором (В), D имитирует одиночный проводник.	Fig. 1b. В соответствии с результатом "простой компенсации" (коррекции эффекта близости при помощи NanoMaker) различные области структуры должны подвергаться экспозиции в течение различного времени для того, чтобы обеспечить воспроизведение субмикронных деталей.
Fig. 2a. Моделирование проявления резиста для структуры подвергшейся равномерной экспозиции (каждая точка получила дозу 150%) демонстрирует, что эффект близости не позволит создать устройство.	Fig. 2b Моделирование проявления резиста для структуры подвергшейся экспозиции в соответствии с результатами "простой компенсации" продемонстрированной на Fig.1b. прогнозирует успех в создании устройства.
Fig. 3a. Эксперимент с равномерной экспозицией подтверждает прогноз моделирования экспонирования и проявления резиста.	Fig. 3b. Коррекция эффекта близости позволяет создать методом электронно-лучевой литографии спроектированную структур с характерными размерами 200 нм.