Fabrication of rainbow hologram with NanoMaker  Fabrication of Rainbow Hologram with NanoMaker
 NanoMaker  Скачать  Примеры Использования  Поддержка  Публикации  Контакты 
English      Russian
 NanoMaker
 О Продукте
 Функции
 Продукты
 Генератор Изображений
 Фотогалерея
 Скачать
 Примеры Использования
 Поддержка
 Публикации
 Контакты
Site search by Google
Рейтинг@Mail.ru  eXTReMe Tracker
Навигатор по фотогалерее

Массив сверхпроводящих приемных элементов для детектирования излучения в терагерцовом диапазоне.

A. Vystavkin, A. Kuzmin, S. Shitov, A. Kovalenko, I. Kon, A. Uvarov, et al.
MIPT (SEC Nanotechnology), Institute of Radioengineering and Electronics (IRE) of RAS , Moscow, Russia
Оборудование: SEM JEOL JSM-6460

Массив сверхпроводящих приемных элементов для детектирования излучения в терагерцовом диапазоне. Каждое из этих устройств может быть использовано в качестве компонентов высокочувствительной матрицы радиометра.

Массив сверхпроводящих приемных элементов для детектирования излучения в терагерцовом диапазоне.
Назад в Фотогалерею

Другие фотографии наших пользователей

Фрагмент Брэгг-Френелевской зонной пластинки A. Firsov; Helmholtz-Zentrum Berlin für Materialien und Energie GmbH, BESSY II
Фрагмент Брэгг-Френелевской зонной пластинки... Далее...
Сверхпроводниковый болометр на горячих электронах для гетеродинного пр G.Goltsman, K. Smirnov, N.Kaurova et al.; MSPU
Сверхпроводниковый болометр на горячих электронах для гетеродинного приемника терагерцового диапазон... Далее...
Общий вид фотонного кристалла на основе гексогональной решетки в S<sub J. Kouba; Helmholtz-Zentrum Berlin für Materialien und Energie GmbH, BESSY II
Общий вид фотонного кристалла на основе гексогональной решетки в S3N4... Далее...
Детектор квантовых состояний V. Gurtovoi, A. Firsov; IMT RAS
Детектор квантовых состояний... Далее...
2D PhC на основе структуры с квантовыми точками InAs/InGaAs в качестве A. Nashchekin, E. Arakcheeva, E. Tanklevskaya; Ioffe Physico-Technical Institute RAS
2D PhC на основе структуры с квантовыми точками InAs/InGaAs в качестве активной области... Далее...
Селективное выращивание однослойных углеродных нанотрубок и создание п Y. Kasumov et al.; IMT RAS1 and ISSP RAS2
Селективное выращивание однослойных углеродных нанотрубок и создание приборов на их основе... Далее...
Наименование сайта вытравленное на поверхности нитевидного кристалла G Yu. Petrov, Prof. O. Vyvenko; St. Petersburg State University
Наименование сайта вытравленное на поверхности нитевидного кристалла GaAs... Далее...
М. Knyazev, V. Starkov, D. Roshchupkin; IMT RAS
"Глубокиe" дифракционные решетки рентгеновского излучения на основе кристалла Si (400)... Далее...
Тонкопленочные структуры из висмута (Bi) E. Konstantinov, E. Demidov; Herzen State Pedagogical University
Тонкопленочные структуры из висмута (Bi)... Далее...
Множественные сверхпроводящие кольца соединенные в длинную цепь V. Gurtovoi2, V. Antonov1; Royal Holloway University1
Множественные сверхпроводящие кольца соединенные в длинную цепь... Далее...
Другие фотографии от Institute of Radioengineering and Electronics (IRE) of RAS
(Щелкните на изображении чтобы увеличить )
Одиночный приемный элемент  сверхпроводникового...
1. Одиночный приемный элемент сверхпроводникового...
Одиночный приемный элемент сверхпроводникового...
2. Одиночный приемный элемент сверхпроводникового...
Одиночный приемный элемент  сверхпроводникового...
3. Одиночный приемный элемент сверхпроводникового...
Одиночный приемный элемент  сверхпроводникового...
4. Одиночный приемный элемент сверхпроводникового...
Массив сверхпроводящих приемных элементов...
5. Массив сверхпроводящих приемных элементов...
                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                   
 
    Copyright © 2002-2017 Interface Ltd. & IMT RAS