Fabrication of rainbow hologram with NanoMaker  Fabrication of Rainbow Hologram with NanoMaker
 NanoMaker  Скачать  Примеры Использования  Поддержка  Публикации  Контакты 
English      Russian
 NanoMaker
 О Продукте
 Функции
 Продукты
 Генератор Изображений
 Фотогалерея
 Скачать
 Примеры Использования
 Поддержка
 Публикации
 Контакты
Site search by Google
Рейтинг@Mail.ru  eXTReMe Tracker
Навигатор по фотогалерее

Одиночный приемный элемент сверхпроводникового болометра включенного в планарную антенну

A. Vystavkin, A. Kuzmin, S. Shitov, A. Kovalenko, I. Kon, A. Uvarov, et al.
MIPT (SEC Nanotechnology), Institute of Radioengineering and Electronics (IRE) of RAS , Moscow, Russia
Оборудование: SEM JEOL JSM-6460

Структура представляет собою одиночный приемный элемент для детектирования излучения в терагерцовом диапазоне. В качестве чувствительного элемента используется сверхпроводник на краю перехода малого объема (в самом центре). Самый большой элемент - двухщелевая планарная антенна.

Одиночный приемный элемент сверхпроводникового болометра включенного в планарную антенну
Назад в Фотогалерею

Другие фотографии наших пользователей

Фрагменты последних зон линзы у кристалла монохроматора на подложке ра A. Firsov; Helmholtz-Zentrum Berlin für Materialien und Energie GmbH, BESSY II
Фрагменты последних зон линзы у кристалла монохроматора на подложке размером 30 мм на 30 мм... Далее...
Сверхпроводниковый болометр на горячих электронах для гетеродинного пр G.Goltsman, K. Smirnov, N.Kaurova et al.; MSPU
Сверхпроводниковый болометр на горячих электронах для гетеродинного приемника терагерцового диапазон... Далее...
Фотонный кристалл для видимого диапазона света на основе перфорированн J. Kouba; Helmholtz-Zentrum Berlin für Materialien und Energie GmbH, BESSY II
Фотонный кристалл для видимого диапазона света на основе перфорированного нитрида кремния... Далее...
Детектор квантовых состояний V. Gurtovoi, A. Firsov; IMT RAS
Детектор квантовых состояний... Далее...
2D PhC на основе структуры с квантовыми точками InAs/InGaAs в качестве A. Nashchekin, E. Arakcheeva, E. Tanklevskaya; Ioffe Physico-Technical Institute RAS
2D PhC на основе структуры с квантовыми точками InAs/InGaAs в качестве активной области... Далее...
Селективное выращивание однослойных углеродных нанотрубок и создание п Y. Kasumov et al.; IMT RAS1 and ISSP RAS2
Селективное выращивание однослойных углеродных нанотрубок и создание приборов на их основе... Далее...
Матрица 10 нм ямок в пирографите Yu. Petrov, Prof. O. Vyvenko; St. Petersburg State University
Матрица 10 нм ямок в пирографите... Далее...
"Глубокие" дифракционные решетки рентгеновского излучения на М. Knyazev, V. Starkov, D. Roshchupkin; IMT RAS
"Глубокие" дифракционные решетки рентгеновского излучения на основе кристалла Si (400)... Далее...
Тонкопленочные структуры из висмута (Bi) E. Konstantinov, E. Demidov; Herzen State Pedagogical University
Тонкопленочные структуры из висмута (Bi)... Далее...
Множественные сверхпроводящие кольца соединенные в длинную цепь V. Gurtovoi2, V. Antonov1; Royal Holloway University1
Множественные сверхпроводящие кольца соединенные в длинную цепь... Далее...
Другие фотографии от Institute of Radioengineering and Electronics (IRE) of RAS
(Щелкните на изображении чтобы увеличить )
Одиночный приемный элемент  сверхпроводникового...
1. Одиночный приемный элемент сверхпроводникового...
Массив сверхпроводящих приемных элементов...
2. Массив сверхпроводящих приемных элементов...
Одиночный приемный элемент сверхпроводникового...
3. Одиночный приемный элемент сверхпроводникового...
Одиночный приемный элемент  сверхпроводникового...
4. Одиночный приемный элемент сверхпроводникового...
Одиночный приемный элемент  сверхпроводникового...
5. Одиночный приемный элемент сверхпроводникового...
                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                   
 
    Copyright © 2002-2017 Interface Ltd. & IMT RAS