Fabrication of rainbow hologram with NanoMaker  Fabrication of Rainbow Hologram with NanoMaker
 NanoMaker  Скачать  Примеры Использования  Поддержка  Публикации  Контакты 
English      Russian
 NanoMaker
 О Продукте
 Функции
 Продукты
 Генератор Изображений
 Фотогалерея
 Скачать
 Примеры Использования
 Поддержка
 Публикации
 Контакты
Site search by Google
Рейтинг@Mail.ru  eXTReMe Tracker
Навигатор по фотогалерее

Тонкопленочные структуры из висмута (Bi)

E. Konstantinov, E. Demidov
Scientific Center ""Nonequilibrium Phenomena in Condensed Matter and Nanostructures", Herzen State Pedagogical University , St. Petersburg, Russia
Оборудование: SEM Zeiss EVO 40

Thin film structures of pure bismuth on Sio2 sublayer were patterned by electron beam lithography using negative photoresist ma-N 2403. Series of samples of different thickness with width of the central wire of 0.5-15 microns were created. The structures used to measure the galvanomagnetic properties (resistance, magnetoresistance and Hall coefficient) of thin bismuth films. The study was performeded in temperature range of 77-300 K in applied magnetic fields up to 3.5 T.

Тонкопленочные структуры из висмута (Bi)
Назад в Фотогалерею

Другие фотографии наших пользователей

Фрагмент Брэгг-Френелевской зонной пластинки A. Firsov; Helmholtz-Zentrum Berlin für Materialien und Energie GmbH, BESSY II
Фрагмент Брэгг-Френелевской зонной пластинки... Далее...
Сверхпроводниковый болометр на горячих электронах для гетеродинного пр G.Goltsman, K. Smirnov, N.Kaurova et al.; MSPU
Сверхпроводниковый болометр на горячих электронах для гетеродинного приемника терагерцового диапазон... Далее...
Полоски шириной около 100 нм J. Kouba; Helmholtz-Zentrum Berlin für Materialien und Energie GmbH, BESSY II
Полоски шириной около 100 нм... Далее...
Детектор квантовых состояний V. Gurtovoi, A. Firsov; IMT RAS
Детектор квантовых состояний... Далее...
2D PhC на основе структуры с квантовыми точками InAs/InGaAs в качестве A. Nashchekin, E. Arakcheeva, E. Tanklevskaya; Ioffe Physico-Technical Institute RAS
2D PhC на основе структуры с квантовыми точками InAs/InGaAs в качестве активной области... Далее...
Селективное выращивание однослойных углеродных нанотрубок и создание п Y. Kasumov et al.; IMT RAS1 and ISSP RAS2
Селективное выращивание однослойных углеродных нанотрубок и создание приборов на их основе... Далее...
Наименование сайта вытравленное на поверхности нитевидного кристалла G Yu. Petrov, Prof. O. Vyvenko; St. Petersburg State University
Наименование сайта вытравленное на поверхности нитевидного кристалла GaAs... Далее...
Одиночный приемный элемент  сверхпроводникового болометра включенного A. Vystavkin, A. Kuzmin, S. Shitov, A. Kovalenko, I. Kon, A. Uvarov, et al.; Institute of Radioengineering and Electronics (IRE) of RAS
Одиночный приемный элемент сверхпроводникового болометра включенного в планарную антенну... Далее...
"Глубокие" дифракционные решетки рентгеновского излучения на М. Knyazev, V. Starkov, D. Roshchupkin; IMT RAS
"Глубокие" дифракционные решетки рентгеновского излучения на основе кристалла Si (400)... Далее...
Множественные сверхпроводящие кольца соединенные в длинную цепь V. Gurtovoi2, V. Antonov1; Royal Holloway University1
Множественные сверхпроводящие кольца соединенные в длинную цепь... Далее...
Другие фотографии от Herzen State Pedagogical University
(Щелкните на изображении чтобы увеличить )
Тонкопленочные структуры из висмута (Bi)
1. Тонкопленочные структуры из висмута (Bi)
Тонкопленочные структуры из висмута (Bi)
2. Тонкопленочные структуры из висмута (Bi)
Тонкопленочные структуры из висмута (Bi)
3. Тонкопленочные структуры из висмута (Bi)
                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                   
 
    Copyright © 2002-2017 Interface Ltd. & IMT RAS