Тонкопленочные структуры из висмута (Bi)
E. Konstantinov, E. Demidov Scientific Center ""Nonequilibrium Phenomena in Condensed Matter and Nanostructures",
Herzen State Pedagogical University
, St. Petersburg, Russia
Оборудование: SEM Zeiss EVO 40
Thin film structures of pure bismuth on Sio2 sublayer were patterned by
electron beam lithography using negative photoresist ma-N 2403.
Series of samples of different thickness with width of the central wire of 0.5-15 microns were created.
The structures used to measure the galvanomagnetic properties (resistance,
magnetoresistance and Hall coefficient) of thin bismuth films.
The study was performeded in temperature range of 77-300 K in applied magnetic fields up to 3.5 T.
Тонкопленочные структуры из чистого Висмута на Sio2 подслое были получены методом
электронно лучевой литографии с использованием негативного фоторезиста ma-N 2403.
Создана серия образцов различных толщин с шириной центрального проводника 0.5-15 мкм.
Структуры использовались для измерения гальваномагнитных свойств (сопротивление,
магнетосопротивление и коэффициент Холла) тонких пленок висмута.
Исследование проведено в интервале температур 77–300 К при магнитных полях до 3.5 T.
|
Назад в Фотогалерею |
Другие фотографии наших пользователей
 |
|
A. Firsov; Helmholtz-Zentrum Berlin für Materialien und Energie GmbH, BESSY II
Фрагмент Брэгг-Френелевской зонной пластинки спроектированной для рентгеновской оптики и спектроскоп...
|
 |
|
G.Goltsman, K. Smirnov, N.Kaurova et al.; MSPU
Сверхпроводниковый болометр на горячих электронах для гетеродинного приемника терагерцового диапазон...
|
 |
|
J. Kouba; Helmholtz-Zentrum Berlin für Materialien und Energie GmbH, BESSY II
Фрагмент фотонного кристалла на основе решетки гексагонального типа в процессе изготовления...
|
 |
|
V. Gurtovoi, A. Firsov; IMT RAS
Детектор квантовых состояний...
|
 |
|
A. Nashchekin, E. Arakcheeva, E. Tanklevskaya; Ioffe Physico-Technical Institute RAS
2D PhC на основе структуры с квантовыми точками InAs/InGaAs в качестве активной области...
|
 |
|
Y. Kasumov et al.; IMT RAS1 and ISSP RAS2
Селективное выращивание однослойных углеродных нанотрубок и создание приборов на их основе...
|
 |
|
Yu. Petrov, Prof. O. Vyvenko; St. Petersburg State University
Травление фокусированным ионным лучом золотой пленки, лежащей на углероде....
|
 |
|
A. Vystavkin, A. Kuzmin, S. Shitov, A. Kovalenko, I. Kon, A. Uvarov, et al.; Institute of Radioengineering and Electronics (IRE) of RAS
Одиночный приемный элемент сверхпроводникового болометра включенного в планарную антенну...
|
 |
|
М. Knyazev, V. Starkov, D. Roshchupkin; IMT RAS
"Глубокие" дифракционные решетки рентгеновского излучения на основе кристалла Si (400)...
|
 |
|
V. Gurtovoi2, V. Antonov1; Royal Holloway University1
Множественные сверхпроводящие кольца соединенные в длинную цепь...
|
|
|
|