Тонкопленочные структуры из висмута (Bi)

E. Konstantinov, E. Demidov
Scientific Center ""Nonequilibrium Phenomena in Condensed Matter and Nanostructures", Herzen State Pedagogical University , St. Petersburg, Russia
Оборудование: SEM Zeiss EVO 40

Thin film structures of pure bismuth on Sio2 sublayer were patterned by electron beam lithography using negative photoresist ma-N 2403. Series of samples of different thickness with width of the central wire of 0.5-15 microns were created. The structures used to measure the galvanomagnetic properties (resistance, magnetoresistance and Hall coefficient) of thin bismuth films. The study was performeded in temperature range of 77-300 K in applied magnetic fields up to 3.5 T.

Тонкопленочные структуры из чистого Висмута на Sio2 подслое были получены методом электронно лучевой литографии с использованием негативного фоторезиста ma-N 2403. Создана серия образцов различных толщин с шириной центрального проводника 0.5-15 мкм. Структуры использовались для измерения гальваномагнитных свойств (сопротивление, магнетосопротивление и коэффициент Холла) тонких пленок висмута. Исследование проведено в интервале температур 77–300 К при магнитных полях до 3.5 T.

Другие фотографии наших пользователей

A. Firsov; Helmholtz-Zentrum Berlin für Materialien und Energie GmbH, BESSY II Полоски ПММА резиста шириной около 40 нм...

G.Goltsman, K. Smirnov, N.Kaurova et al.; MSPU Сверхпроводниковый болометр на горячих электронах для гетеродинного приемника терагерцового диапазон...

J. Kouba; Helmholtz-Zentrum Berlin für Materialien und Energie GmbH, BESSY II Фотонные кристаллы на основе гексогональной решетки в S3N4...

V. Gurtovoi, A. Firsov; IMT RAS Детектор квантовых состояний...

A. Nashchekin, E. Arakcheeva, E. Tanklevskaya; Ioffe Physico-Technical Institute RAS 2D PhC на основе структуры с квантовыми точками InAs/InGaAs в качестве активной области...

Y. Kasumov; IMT RAS1 and ISSP RAS2 Селективное выращивание однослойных углеродных нанотрубок и создание приборов на их основе...

Yu. Petrov, Prof. O. Vyvenko; St. Petersburg State University Наименование сайта вытравленное на поверхности нитевидного кристалла GaAs...

A. Vystavkin, A. Kuzmin, S. Shitov, A. Kovalenko, I. Kon, A. Uvarov, et al.; Institute of Radioengineering and Electronics (IRE) of RAS Одиночный приемный элемент сверхпроводникового болометра включенного в планарную антенну...

М. Knyazev, V. Starkov, D. Roshchupkin; IMT RAS "Глубокие" дифракционные решетки рентгеновского излучения на основе кристалла Si (400)...

V. Gurtovoi2, V. Antonov1; Royal Holloway University1 Множественные сверхпроводящие кольца соединенные в длинную цепь...