Fabrication of rainbow hologram with NanoMaker  Fabrication of Rainbow Hologram with NanoMaker
 NanoMaker  Скачать  Примеры Использования  Поддержка  Публикации  Контакты 
English      Russian
 NanoMaker
 О Продукте
 Функции
 Продукты
 Генератор Изображений
 Фотогалерея
 Скачать
 Примеры Использования
 Поддержка
 Публикации
 Контакты
Site search by Google
Рейтинг@Mail.ru  eXTReMe Tracker
Навигатор по фотогалерее

Селективное выращивание однослойных углеродных нанотрубок и создание приборов на их основе

Y. Kasumov et al.
IMT RAS1 and ISSP RAS2 , Chernogolovka, Russia
Оборудование: SEM Zeiss EVO 50

The samples were fabricated as follows. At first, a Pt film with Cr underlayer was deposited by e-beam evaporation on oxidized silicon wafer using photolithography mask to form contact pads and lanes. Then the wafer was cut up to obtain chips. 10 nm Al/1 nm Fe bilayer catalyst was selectively deposited by e-beam gun onto the chips using electron beam lithography and a lift-off technique. After that the chips with deposited bilayer catalyst were heated in a furnace in air atmosphere for 2 min in order to form Fe nanoparticles. Then the nanotubes were synthesized by single injection of acetylene CVD technique. E-beam lithography with NanoMaker system and a lift-off process were used to pattern e-beam evaporation deposited Pd-Al electrodes contacting nanotubes.

Два прототипа SQUID, каждый на основе 2 нанотрубок.

Селективное выращивание однослойных углеродных нанотрубок и создание приборов на их основе
Назад в Фотогалерею

Другие фотографии наших пользователей

Система линз у второго кристалла монохроматора A. Firsov; Helmholtz-Zentrum Berlin für Materialien und Energie GmbH, BESSY II
Система линз у второго кристалла монохроматора... Далее...
Сверхпроводниковый болометр на горячих электронах для гетеродинного пр G.Goltsman, K. Smirnov, N.Kaurova et al.; MSPU
Сверхпроводниковый болометр на горячих электронах для гетеродинного приемника терагерцового диапазон... Далее...
Фотонные кристаллы на основе гексогональной решетки в S<sub>3</sub>N<s J. Kouba; Helmholtz-Zentrum Berlin für Materialien und Energie GmbH, BESSY II
Фотонные кристаллы на основе гексогональной решетки в S3N4... Далее...
Детектор квантовых состояний V. Gurtovoi, A. Firsov; IMT RAS
Детектор квантовых состояний... Далее...
2D PhC на основе структуры с квантовыми точками InAs/InGaAs в качестве A. Nashchekin, E. Arakcheeva, E. Tanklevskaya; Ioffe Physico-Technical Institute RAS
2D PhC на основе структуры с квантовыми точками InAs/InGaAs в качестве активной области... Далее...
Травление фокусированным ионным лучом золотой пленки, лежащей на углер Yu. Petrov, Prof. O. Vyvenko; St. Petersburg State University
Травление фокусированным ионным лучом золотой пленки, лежащей на углероде.... Далее...
Одиночный приемный элемент сверхпроводникового болометра включенного в A. Vystavkin, A. Kuzmin, S. Shitov, A. Kovalenko, I. Kon, A. Uvarov, et al.; Institute of Radioengineering and Electronics (IRE) of RAS
Одиночный приемный элемент сверхпроводникового болометра включенного в планарную антенну... Далее...
"Глубокие" дифракционные решетки рентгеновского излучения на М. Knyazev, V. Starkov, D. Roshchupkin; IMT RAS
"Глубокие" дифракционные решетки рентгеновского излучения на основе кристалла Si (400)... Далее...
Тонкопленочные структуры из висмута (Bi) E. Konstantinov, E. Demidov; Herzen State Pedagogical University
Тонкопленочные структуры из висмута (Bi)... Далее...
Множественные сверхпроводящие кольца соединенные в длинную цепь V. Gurtovoi2, V. Antonov1; Royal Holloway University1
Множественные сверхпроводящие кольца соединенные в длинную цепь... Далее...
Другие фотографии от IMT RAS1 and ISSP RAS2
(Щелкните на изображении чтобы увеличить )
Селективное выращивание однослойных углеродных...
1. Селективное выращивание однослойных углеродных...
Селективное выращивание однослойных углеродных...
2. Селективное выращивание однослойных углеродных...
Селективное выращивание однослойных углеродных...
3. Селективное выращивание однослойных углеродных...
Селективное выращивание однослойных углеродных...
4. Селективное выращивание однослойных углеродных...
Селективное выращивание однослойных углеродных...
5. Селективное выращивание однослойных углеродных...
Селективное выращивание однослойных углеродных...
6. Селективное выращивание однослойных углеродных...
Селективное выращивание однослойных углеродных...
7. Селективное выращивание однослойных углеродных...
Селективное выращивание однослойных углеродных...
8. Селективное выращивание однослойных углеродных...
                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                   
 
    Copyright © 2002-2020 Interface Ltd. & IMT RAS